📚 基本信息
- 书名:纳米CMOS器件及电路的辐射效应
- 作者: 刘忠永
- 出版社:电子工业出版社
- 出版时间:2021/4/1
- 字数:177千字
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纳米CMOS器件辐射效应分析
📖 内容简介
本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响,涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等,综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响,从器件、电路角度建模分析,给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高”k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论,还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。
🏢 出版社介绍
电子工业出版社成立于1982年10月,是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社,是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展,已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域,综合出版能力位居全国出版行业前列。
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